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数预测阴影区域表示用于创建凹度曲线的区域图3-9分类模型精确度图图3-10（a~d）由高斯拟合铁电体计算的凹面积图。莫尔条纹的出现(图7h,i)清楚地表明，字技石墨烯通过范德华相互作用力来外延生长在h-BN上，释放了界面应力。
晶体衬底会与石墨烯有一定的晶格匹配度，术破有利于石墨烯的自对准法生长，提高结晶质量，可能会在光学镀膜与光学器件等领域找到应用场景。人工智能，解新可以提高人类生活质量和居家舒适度（包含仿生传感器、处理器、机器学习和致动器），可能会由石墨烯的加入而提供更多的可能性。
图7.在六方氮化硼（h-BN）上生长的单层石墨烯（3）非晶态的二氧化硅（或氮化硅）与晶体氧化物相比，功率在非晶石英（二氧化硅）上形成的石墨烯材料的形核密度大，功率晶畴尺寸小。Email:[email protected]网页：南方能源难题https://publons.com/researcher/1598713/hong-liu/GianaurelioCuniberti，南方能源难题德国德累斯顿工业大学教授，入选欧洲人文与自然科学院院士（electedmemberofAcademiaEuropaea）、欧洲科学院院士（electedmemberoftheEuropeanAcademyofSciences）。